混频二极管模块

混频二极管模块是1种肖特基势垒二极管模块，它是借助金属和N型半导体相接触所生成的金属——半导体结的原理而制成的。当金属与半导体相接触时，它们的交界面处会生成阻碍电子经过的肖特基势垒，即表层势垒。为了能使半导体中的载流子容易地穿过势垒进到金属，它必需用电子逸出功（电子跑出半导体或金属表层所要的能量）比金属大很多的N型半导体。当二极管模块添加正方向偏压时，势垒下降，多数载流子（电子）便从半导体进到金属。

混频二极管模块与通常二极管模块对比，因为借助多数载流子工作，没有少数载流子储存效应，因此具备频率高、噪声低和反方向电流小等特性，主要用在混频器。用二极管模块混频方式时，在500～10，000Hz的频率范围内，多用肖特基型和点接触型二极管模块。

结电容

它们的结电容与反方向电压的相互关系由图3所显示。当VR=0V时，1SS86/1SS87的结电容C都低于0.85pF；在VR=1V时，它们的电容C都低于0.7pF。因为混频二极管模块的结电容较小，因此混频器的频率较高。此外，从表1得知，国外混频二极管模块的结电容的偏差也越发小，如果在VR=0V时，1SS88/1SS165/1SS166的电容偏差ΔC均为±0.05pF；HSM88S/SR、HSM88AS/ASR和HSM88WA/WK的ΔC均为±0.1pF。

上述便是CATELEC西班牙对混频二极管模块的介绍，CATELEC西班牙提供整流桥模块、晶闸管模块、二极管模块等半导体模块,绝缘式功率模块、功率组件、分立式功率半导体在内的众多功率电子产品是现CATELEC的主营项目。