TVS二极管元器件的主要参数

（1）最小击穿电压VBR

当TVS流经规定的电流时，TVS两边的电压称之为最小击穿电压，在这个区域，TVS二极管呈低阻抗的通道。在25℃时，低过这一电压，TVS二极管是不易出現雪崩击穿的。

（2）额定反方向断开电压VWM

VWM是TVS二极管在正常的模式时可承担的电压，此电压应大于或等于被保护线路的正常的工作电压。但它又需尽量与被保护线路的正常的工作电压接近，如此才不易在TVS二极管运行之前使整个线路面对过压威胁。按TVS二极管的VBR与标准值的离散度，可把VBR分成5％和10％2种，对5％的VBR而言，VWM=0.85VBR腿；而对10％的VBR而言，VWM=0.81VBR。

（3）最高峰值脉冲电流IPP

IPP是TVS二极管在反方向模式运行时，在规定的脉冲条件下，元器件准许借助的最高脉冲峰值电流。

（4）箝位电压Vc

当脉冲峰值电流Ipp流经TVS二极管时，其两边出現的最高电压值称之为箝位电压Vc。Vc和Ipp体现了TVS二极管的浪涌抑制功能。通常把Vc与VBR之比称之为箝位因子（系数），其值通常在1.2～1.4间。真实应用时，应以Vc不超被保护线路的最高准许安全电压，不然被保护元器件将面对被毁坏的可能。

（5）最大峰值脉冲功能损耗PM

PM通常是最大峰值脉冲电流Ipp与箝位电压Vc的乘积，也就是最高峰值脉冲功能损耗。它是TVS二极管能承担的最高峰值脉冲功能损耗值。在给出的最高钳位电压下，功能损耗PM越大，其浪涌电流的承受力越大。此外，峰值脉冲功能损耗还与脉冲波型、脉冲持续时间和环境温度相关。并且，TVS二极管能够承担的瞬态脉冲是不能重复添加的。

（6）电容量C

TVS二极管的电容是由其硅片的截面积和偏置电压来确定的，它是在1MHz特定的频率下测出的。C的大小与TVS二极管的电流承受力成正比，C太大，将使信号衰减。所以，电容C是数据接口线路采用TVS二极管的重要参数。

（7）漏电流IR

IR是最高反方向工作电压添加到TVS二极管上面时，TVS管的漏电流。当TVS二极管用作高阻抗线路时，这一漏电流IR1个重要参数。

上述便是CATELEC西班牙对TVS二极管元器件的主要参数的介绍，CATELEC西班牙提供整流桥模块、晶闸管模块、二极管模块等半导体模块,绝缘式功率模块、功率组件、分立式功率半导体在内的众多功率电子产品是现CATELEC的主营项目。