混频二极管是什么

混频二极管与通常二极管对比，因为借助大部分载流子运行，无少数载流子储存效应，因此具备频率高、噪声低和反方向电流小等特性，主要用在混频器。采用二极管混频形式时，在500～10，000Hz的频率区域内，多通过肖特基型和点接触型二极管。

电特性

（１）正方向特性

表1提供的混频二极管的电性能，共17个型号，主要用在UHFTV调谐混频器、CATV平衡混频器和调谐混频器，外观DO-35个玻壳封装，规格尺寸为4.2毫米×2.0毫米，引出线为2个针脚；DO-34为玻壳封装，规格尺寸为2.4毫米×2.0毫米，2个针脚；UMD为微型玻壳封装，规格尺寸为2.6毫米×1.6毫米，2个针脚；LLD为无引线玻壳封装，规格尺寸为3.5毫米×1.35毫米；MPAK（EIAJSC-59）为片状化封装，规格尺寸为2.8毫米×1.5毫米×1.1毫米，引出线为3个针脚；SRP为片状化封装，规格尺寸为2.6毫米×1.6毫米×1.1毫米，引出线为2个针脚。

HSM88S/SR和HSM88AS/ASR全是由2个串连的混频二极管构成，HSM88S与HSM88SR的差别仅取决于引出线的正负极端有所不同，HSM88AS与HSM88ASR的差别也是这般。HSM88WA/WK由2个并接的混频二极管构成，WA与WK的差别仅取决于引出线的正负极端有有不同。

从表1中可知，国外混频二极管在外观上面有两大发展趋势，一是规格尺寸愈来愈小，如玻壳封装从DO-35到DO-34再到UMD，二是从轴向有引线向片状化方向发展，从DO-35到LLD/MPAK/SRP。

为了描述便利，这边仅以1SS86/1SS87举例表明。两者的正方向性能如下图1所显示，当正方向电流IF为1mA时，1SS86的正方向压降VF≤0.2V，1SS87的VF≤0.45V；当IF为10mA时，1SS86的VF=0.4V，1SS87的VF=0.6V。此外，从表1中得知，在国外混频二极管的正方向性能变得越来越好，具体表现在正方向性能的一致性更佳，有类似变容管的匹配性能，比如IF=10mA下，1SS165的VF=520mV～600mV±5mV；HSM88S/SR与HSM88AS/ASR的VF各自为520mV～600mV±10mV和500mV～580mV±10mV，表明VF的误差仅有5mV～10mV。
表1　混频二极管
图1　1SS86/1SS87的正方向性能；图2　1SS86/1SS87的反方向性能；图3　1SS86/1SS87的结电容与反方向电压的影响
图4　混频器的构成部分

（２）反方向性能

两者的反方向性能由图2所显示。混频二极管的反方向漏电流较小，比如VR=2V下，1SS86的IR为20μA，1SS87的IR为1μA；在VR=4V下，1SS86的IR为70μA，1SS87的IR为4μA，表明1SS87的反方向性能比1SS86好。混频器需要混频二极管的反方向漏电流小，如此，混频器的噪声系数也小。

（３）结电容

两者的结电容与反方向电压的影响由图3所显示。当VR=0V时，1SS86/1SS87的结电容C都小于0.85pF；在VR=1V时，两者的电容C都小于0.7pF。因为混频二极管的结电容较小，所以混频器的频率较高。此外，从表1得知，在国外混频二极管的结电容的误差也越来越小，比如VR=0V时，1SS88/1SS165/1SS166的电容误差ΔC均为±0.05pF；HSM88S/SR、HSM88AS/ASR和HSM88WA/WK的ΔC均为±0.1pF。

上述便是CATELEC西班牙对混频二极管的介绍，CATELEC西班牙提供整流桥模块、晶闸管模块、二极管模块等半导体模块,绝缘式功率模块、功率组件、分立式功率半导体在内的众多功率电子产品是现CATELEC的主营项目。