快恢复二极管模块原理

快恢复二极管模块的内部构造是在P型硅材料与N型硅材料中间添加了基区I，组成PIN硅片。

因基区很薄，反向恢复电荷很小，不仅大大削减了TRR值，还降低了瞬态正方向压降，使管子能承担很高的反方向工作电压。

快恢复二极管模块的反向恢复时间通常为几百纳秒，正方向压降约为0.6V，正方向电流是几安培至几千安培，反方向峰值电压可以达到几百到几千伏。

超快恢复二极管模块的反向恢复电荷更进一步削减，使其trr可低至几十纳秒。20A之下的快恢复及超快恢复二极管模块大多数选用TO-220封装形式。

加负电压（或零偏压）时，快恢复二极管模块等效为电容+电阻；加正电压时，快恢复二极管模块等效为小电阻。

用更改构造尺寸及选用快恢复二极管参数的方式，使短路的阶梯脊波导的反射相位（基准相位）与加正电压的PIN管调节的短路波导的反射相位相同。

还需求加负电压（或0偏置）的快恢复二极管模块调节的短路波导的反射相位与标准相位相反（-164°～+164°间便可）。

上述便是CATELEC西班牙对快恢复二极管模块原理的介绍，CATELEC西班牙提供整流桥模块、晶闸管模块、二极管模块等半导体模块,绝缘式功率模块、功率组件、分立式功率半导体在内的众多功率电子产品是现CATELEC的主营项目。