西班牙CATELEC:静电感应晶闸管模块(SITH)

静电感应元器件（SID）是一种新型电力半导体元器件的统称，它具体包含静电感应晶体管SIT、双极型静电感应晶体管BSIT、静电感应晶闸管模块SITH等3大类。与在用的晶体管和电子管对比，用到静电感应元器件最显著的优势一个是可完成功率变频，进而实现高效节能（节能作用可多达40%），二是可提升产品构造、大幅减小产品体型，降低原材料损耗。它的最终发展趋势将为人类普遍节约资源，降低材料损耗供应重要手段，并为机电相融一体化开拓新的道路。
静电感应晶闸管模块（StaticInductionThyristor:SITH)又被称为场控晶闸管模块(FieldControlledThyristor :FCT)。与其余电力元器件对比，SITH具备一系列突出的优势：用栅极可强迫断开，具备高耐压、大电流、低压降、功耗低、高速度、优良的动态性能及其强的抗烧性等优异性能，应用前景十分宽阔。

SITH可以制成常开型，也能够制成常关型，SITH的构造与SIT或BSIT相近，所不一样的仅仅是阳极p+代替了n+漏区(见图1)。其构造可以是表层栅型或埋栅型。

为了更好地提升阻断增益，表层栅型SITH选用了n--n-p+漏区非对称构造.下图为SITH的结构示意图。
SITH最重要的主要用途是做为可断开的电力开关，具体使用于正向导通和反方向阻断2个模式。对常关型元器件，正栅压使其导通，负栅压使元器件强迫断开。

与普通晶闸管模块（SCR）及可断开晶闸管模块（GTO）对比有许多优势：SITH的通态电阻值小，通态电压低，开关速率快，开关耗损小，正方向电压阻断增益高，导通和断开的短路增益大，di/dt及dv/dt的耐量高。SITH为场控元器件，不同于SCR及GTO那般有体内再生反馈机理，因此并不会因dv/dt过高而发生误触发现象。

SITH与SIT同样，可以经过电场控制阳极电流，在栅极没有信号时，元器件是导通的。

与SIT对比，SITH多出一个具备少子注入功用的PN结，SITH是2种载流子导电的双极型元器件，具备电导调制效应，通态压降低、通流能力强。其许多特性与GTO相近，但开关速率比GTO高得多，是大容量的快速元器件。

SITH通常也是正常导通型，但也有正常断开型。另外，其生产制造技术比GTO繁杂得多，电流断开增益较小，所以其使用范围也有待拓展。

上述便是西班牙CATELEC对向晶闸管模块的参数的介绍，CATELEC西班牙提供整流桥模块、晶闸管模块、二极管模块等半导体模块,绝缘式功率模块、功率组件、分立式功率半导体在内的众多功率电子产品是现CATELEC的主营项目。