西班牙CATELEC:晶闸管模块两边并接阻容网络的作用

我们知道，晶闸管模块有1个重要特点参数－断态电压临界上升率dlv/dlt。它说明可控硅模块在额定结温和门极开路状况下，使可控硅模块从断态转到通态的最低电压上升率。若电压上升率过大，超出了可控硅模块的电压上升率的值，则会在无门极信号的状况下开通。即便这时加于晶闸管模块的正方向电压小于其阳极峰值电压，也有可能出现这类状况。因此 晶闸管模块能够当作是由3个PN结构成。

在晶闸管模块线路中，在其两边并接RC串连网络，该网络常称作RC阻容吸收线路。

在晶闸管模块处在阻断情况下，因各层距离靠近，其J2结结面等同于1个电容C0。当晶闸管模块阳极电压变动时，便会出现充电电流流经电容C0，并经过J3结，这一电流起了门极触发电流功能。倘若晶闸管模块在断开时，阳极电压升高速率太快，则C0的充电电流越大，就有可能导致门极在无触发信号的状况下，晶闸管模块误导通情况，即常说的硬开通，这也是不允许的。因此 ，对添加晶闸管模块上的阳极电压上升率应该有相应的限制。

为了限制线路电压上升率过大，确保晶闸管模块安全可靠运行，经常在晶闸管模块两边并接RC阻容吸收网络，借助电容两端电压无法突变的特点来限制电压上升率。因为线路总有电感的(变压器漏感或负载电感)，因此 与电容C串联电阻R可起阻尼作用，它能够防止R、L、C线路在过渡过程中，因振荡在电容器两边出现的过电压损坏晶闸管模块。同时，避免电容器经过晶闸管模块放电电流过大，导致过电流而损坏晶闸管模块。

因为晶闸管模块过流经压能力很差，如果不选用靠谱的安全措施是无法正常工作的。RC阻容吸收网络便是常见的保护方法之一。

上述便是西班牙CATELEC对晶闸管模块两边并接阻容网络的作用的介绍，CATELEC西班牙提供整流桥模块、晶闸管模块、二极管模块等半导体模块,绝缘式功率模块、功率组件、分立式功率半导体在内的众多功率电子产品是现CATELEC的主营项目。