肖特基二极管模块

基本原理是：在肖特基二极管模块,什么叫肖特基二极管模块,肖特基二极管原理金属（比如铅）和半导体（N型硅片）的接触面上，用已生成的肖特基来阻挡反方向电压。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的不同。其抗压程度仅有40V上下。

其优势是：开关速率十分的快：反向恢复時间非常地短。因此，能制做开关二极和低压大电流整流二极管。
【构造机理】

肖特基二极管模块是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，借助两者接触面上生成的势垒具备整流性能而制作的多属-半导体元器件。毕竟N型半导体中普遍存在着大量的电子，贵金属中仅有少量的自由电子，因此电子便从浓度高的B中往浓度低的A中分散。很明显，金属A中没有空穴，也就不会有空穴自A向B的分散运作。伴随电子逐渐从B分散到A，B表层电子浓度表层逐渐降轻工业部，表层电中性被破坏，因此就生成势垒，其电场方向为B→A。但在该电场功能之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运作，进而削弱了因为分散运作而生成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引发的电子漂移运作和浓度不同引发的电子分散运作到达相对的平衡，便生成了肖特基势垒。

典型的肖特基整流管的内部线路构造如下图1所显示。它是以N型半导体为基片，在上面生成用砷作掺杂剂的N-外延层。阳极（阻档层）金属材料是钼。二氧化硅（SiO2）用作清除边缘区域的电场，提升管子的耐压值。N型基片具备较小的通态电阻，其夹杂浓度较H-层要高100%倍。在基片下边生成N+阴极层，其功能是减少阴极的接触电阻。利用调整结构参数，可在基片与阳极金属间生成适合的肖特基势垒，当添加正偏压E时，金属A和N型基片B各自接电源的正、负极，这时势垒宽度Wo变窄。加负偏压-E时，势垒宽度就增加，见图2。

上述便是CATELEC西班牙对肖特基二极管模块的介绍，CATELEC西班牙提供整流桥模块、晶闸管模块、二极管模块等半导体模块,绝缘式功率模块、功率组件、分立式功率半导体在内的众多功率电子产品是现CATELEC的主营项目。