变容二极管的构造原理

图1变容二极管的构造原理、简化等效线路及线路符号

变容二极管的构造原理参见图1(a)。从其本质上讲，它应属反偏压的二极管，其结电容便是耗尽层的电容。可类似反耗尽层视为平行板电容器，2个导电板间有介质。所以，结电容C1的容量与耗尽层的宽度d成反比，有计算公式C1∝1/d，又因为d与反方向偏压VR的n次方成正比（n是与掺杂浓度相关的常数），故C1∝1/VRn，所以，反方向偏压愈高，耗尽区就愈宽，而结电容量越小。相反也是。(a)图上，VR1＞VR2，故d2＞d1，Cj2＜Cj1。

变容二极管的简化等效线路及线路符号分别如下图1(b)、(c)所显示。图上用1只可变电容来表明结电容。R2是半导体材料的电阻。

变容二极管的选择

选择变容二极管时，应注重考量其工作频率、最高反方向工作电压、最大正方向电流和零偏压结电容等参数是不是合乎运用线路的标准，应选用结电容变化大、高Q值、反方向漏电流小的变容二极管。

变容二极管的代替

变容二极管毁坏后，应替换与原型号类似的变容二极管或用其主要参数类似（尤其是结电容范围应类似或相近）的其它型号的变容二极管来代替。

上述便是CATELEC西班牙对变容二极管的构造原理的介绍，CATELEC西班牙提供整流桥模块、晶闸管模块、二极管等半导体模块,绝缘式功率模块、功率组件、分立式功率半导体在内的众多功率电子产品是现CATELEC的主营项目。