肖特基二极管(SBD)与普通二极管的差别

肖特基二极管是以其发明者肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称为。SBD并不是利用P型半导体与N型半导体接触生成PN结原理制做的，反而是利用金属与半导体接触生成的金属－半导体结原理制做的。所以，SBD也称之为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是1种热载流子二极管。
1、2种二极管全是单向导电，可用作整流场所。差别是普通硅二极管的耐压可以做得较高，但它的恢复速度低，只有用在低频的整流上，如果是高频的便会因为没法快速恢复而发生反方向漏电，最后造成管子严重发热烧毁；肖特基二极管的耐压能常较低，但它的恢复速度快，可以用在高频场所，故开关电源选用这种二极管当作整流输出用，即便如此，开关电源上的整流管温度还是很高的。

2、快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管（5us之下），工艺上多选用掺金措施，构造上有选用PN结型构造，有的选用改进的PIN构造。其正方向压降高于普通二极管（1-2V），反方向耐压多在1200V之下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在100纳秒之下。肖特基二极管是以金属和半导体接触生成的势垒为基础的二极管，简称为肖特基二极管（SchottkyBarrierDiode），具备正方向压降低（0.4-0.5V）、反向恢复时间很短（10-40纳秒），并且反方向漏电流较大，耐压低，通常低150V，多用作低电压场所。这2种管子通常用作开关电源。

3、外观区分：

除了型号，外型上通常没什么差别，但可以测量正方向压降进行差别，直接用数字万用表测（小电流）普通二极管在0.5V以上，肖特基二极管在0.3V之下，大电流时普通二极管在0.8V左右，肖特基二极管在0.5V之下；NCD10S20WT12便是表明20A100V。另肖特基二极管耐压通常在100V之下，没有150V以上的。

上述便是CATELEC西班牙对肖特基二极管(SBD)与普通二极管的差别介绍，CATELEC西班牙提供整流桥模块、晶闸管模块、二极管模块等半导体模块，绝缘式功率模块、功率组件、分立式功率半导体在内的众多功率电子产品是现CATELEC的主营项目。