肖特基二极管模块的元件符号

特基二极管模块是以其发明者肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管模块（SchottkyBarrierDiode，缩写SBD）的简称。SBD并非借助P型半导体与N型半导体接触生成PN结机理制造的，反而是借助金属与半导体接触生成的金属－半导体结机理制造的。所以，SBD也称之为金属－半导体（接触）二极管模块或表层势垒二极管模块，它是1种热载流子二极管模块。

肖特基二极管模块符号及特性如下所示：

肖特基二极管模块的优缺点

优点：

肖特基二极管模块具备开关频率高和正方向压减少等特点，但其反方向击穿电压比较低，大部分不超出60V，最明显仅约100V，导致局限了其使用范畴。像在开关电源（SMPS）和功率因数校正（PFC）线路中功率开关元器件的续流二极管、变压器次级用100V以上的高频整流二极管、RCD缓冲器线路中用600V～1.2kV的高速二极管模块和PFC升压用600V二极管模块等，唯有用快速恢复外延二极管模块（FRED）和超快速恢复二极管模块（UFRD）。

UFRD的反向恢复时间Trr也在20ns以上，压根无法满足像空间站等领域用1MHz～3MHz的SMPS需求。

即使是硬开关为100kHz的SMPS，因为UFRD的导通耗损和开关损耗均比较大，壳温很高，需要用比较大的散热器，进而使SMPS体积和重量增加，不符小型化和轻薄化的发展趋向。所以，研究100V以上的高压SBD，始终是人们研究的课题和关注的热点。

近些年，SBD已得到了突破性的进展，150V和200V的高压SBD已经上市，用新型材料制造的超出1kV的SBD也研制成功，进而为其使用注入了新的生机与活力。

缺陷：

肖特基二极管模块最明显的缺陷是其反方向偏压较低及反方向漏电流偏大，像用硅及金属为材质的肖特基二极管模块，其反方向偏压额定耐压最明显只到50V，而反方向漏电流值为正温度特性，容易跟着温度上升而骤然变大，实际设计上要留意其热失控的隐患。为了避免上述的问题，肖特基二极管模块实际使用时的反方向偏压都是会比其额定值小很多。但是肖特基二极管模块的工艺也已经有了进步，其反方向偏压的额定值最明显可以到200V。

上述便是CATELEC西班牙对肖特基二极管模块的元件符号的介绍，CATELEC西班牙提供整流桥模块、晶闸管模块、二极管模块等半导体模块,绝缘式功率模块、功率组件、分立式功率半导体在内的众多功率电子产品是现CATELEC的主营项目。