什么是瞬态抑制二极管器件

瞬态电压抑制二极管器件（TransientVoltageSuppressor）简称为TVS，是1种二极管器件形式的高效能保护元器件。当TVS二极管器件的两极遭受反方向瞬态高能量冲击时，它能以10的负12次方秒量级的速率，将其两极间的高阻抗变成低阻抗，吸纳高达数KW的浪涌功率，使两极间的电压箝位于1个预定值，高效地保障电子线路中的精密元器件，遭受各类浪涌脉冲信号的毁坏。

瞬态抑制二极管器件的特性

1、将TVS二极管器件加在信号及电源线上，能规避微处理器或单片机因一瞬间的脉冲信号，如静电放电效应、交流电源之浪涌及开关电源电路的噪声所导致的失灵。

2、静电放电效应能释放出超出10000V、60A以上的脉冲信号，并能维持10ms；而通常的TTL元器件，遇上超出30ms的10V脉冲信号时，便会造成毁坏。借助TVS二极管器件，可高效吸纳会导致元器件毁坏的脉冲信号，并能清除由总线间开关所造成的干扰（Crosstalk）。

3、将TVS二极管器件摆放在信号线及接地间，能规避数据及控制总线遭受多余的噪声干扰。

瞬态抑制二极管参数

①最大反方向漏电流ID和额定反方向断开电压VWM。

VWM是TVS最大连续运作的直流或脉冲电压，当这一反方向电压添加TVS的两极间时，它处在反方向断开模式，流经它的电流量应小于或等于其最大反方向漏电流ID。

②最小击穿电压VBR和击穿电流IR

VBR是TVS最低的雪崩电压。25℃时，在这个电压前，TVS并不导通的。当TVS流经需要的1mA电流（IR）时，添加TVS两极间的电压为其最低击穿电压VBR。按TVS的VBR与标准值的离散程度，可把TVS分成±5%VBR和±10%VBR两类。针对±5%VBR而言，VWM=0.85VBR；针对±10%VBR而言，VWM=0.81VBR。

③最大箝拉电压VC和最大峰值脉冲电流IPP

当持续时间为20微秒的脉冲信号峰值电流IPP流经TVS时，在其两极间出現的最大峰值电压为VC。它是串联电阻上和因温度系数二者电压上升的组合。VC、IPP反映TVS元器件的浪涌抑制能力。VC与VBR之比称作箝位因子，通常在1.2~1.4间。

④电容量C

电容量C是TVS雪崩结截面确定的、在特定的1MHZ频率下测出的。C的大小与TVS的电流适应能力成正比，C过大将使信息衰减。所以，C是数据接口线路选择TVS的重要参数。

⑤最高峰值脉冲功能损耗PM

PM是TVS能承担的最高峰值脉冲耗散功率。其要求的试验脉冲波型和各类TVS的PM值，请查阅相关产品手册。在给出的最高箝位电压下，功能损耗PM越大，其浪涌电流的适应能力越大；在给出的功能损耗PM下，箝位电压VC越低，其浪涌电流的适应能力越大。此外，峰值脉冲功能损耗还与脉冲波型、持续时间和环境温度相关。并且TVS能够承担的瞬态脉冲是不重复的，元器件要求的脉冲重复频率（持续时间与间歇时间之比）为0.01%，要是线路内发生重复性脉冲，应考虑到脉冲功率的“积累”，有可能使TVS毁坏。

⑥箝位时间TC

TC是TVS两端电压从零到最少击穿电压VBR的时间。对单极性TVS通常是1×10-12秒；对双极性TVS通常是1×10-11秒。

上述便是CATELEC西班牙对什么是瞬态抑制二极管器件的介绍，CATELEC西班牙提供整流桥模块、晶闸管模块、二极管模块等半导体模块,绝缘式功率模块、功率组件、分立式功率半导体在内的众多功率电子产品是现CATELEC的主营项目。