肖特基二极管和整流二极管模块的区别

整流二极管模块

1种将交流电能转换为直流电能的半导体元器件。通常它包括1个PN结，有正极和负极2个端子。二极管最重要的特征便是单方向导电性。在线路中，电流只有从二极管的正极流入，负极流出。

整流二极管模块是借助PN结的单向导电特征，把交流电变为脉动直流电。整流二极管模块漏电流过大，大部分选用面接触性料封装的二极管。整流二极管模块的外型如下图1所显示，此外，整流二极管模块的参数除上面讲述的几种外，另有最大整流电流，指的是整流二极管模块长期的运行所容许经过的最大电流值。它是整流二极管模块的基本参数，是选项用整流二极管模块的主要依据。

肖特基二极管模块

肖特基二极管模块是以其发明者肖特基博士（Schottky）取名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode，缩写成SBD）的简称。SBD并不是借助P型半导体与N型半导体接触构成PN结原理制造的，反而是借助金属与半导体接触构成的金属－半导体结原理制造的。因此，SBD也叫做金属－半导体（接触）二极管或表层势垒二极管，它是1种热载流子二极管。

肖特基二极管模块是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，借助二者接触表面上构成的势垒具备整流特征而制作的金属-半导体元器件。因为N型半导体中存有着大量的电子，贵金属中仅有少量的自由电子，因此电子便从浓度高的B中向浓度低的A中发散。

显而易见，金属A中并没有空穴，也就不会有空穴自A向B的发散运动。

随之电子不断地从B发散到A，B表层电子浓度渐渐降低，表层电中性被破坏，因此就构成势垒，其电场方向为B→A。但在该电场影响下，A中的电子也会出现从A→B的漂移运动，以此消弱了因为发散运动而构成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场造成的电子漂移运动和浓度不同引发的电子发散运动做到相对的平衡，便构成了肖特基势垒。

上述便是CATELEC西班牙对肖特基二极管和整流二极管模块的区别的介绍，CATELEC西班牙提供整流桥模块、晶闸管模块、二极管模块等半导体模块,绝缘式功率模块、功率组件、分立式功率半导体在内的众多功率电子产品是现CATELEC的主营项目。