肖特基二极管什么是热逃逸？

在图2中可以看到，在以上所述2种情形中，在第2次温度传递Tb时，低Vf的二极管逐渐变热。当中的机理是，在电流对应的情形下，二极管因在T2时出现耗损而变热。随之二极管温度上升，漏电流If增加，正方向电压Vf减小。但是，增加的速度远高于减小的速度。其结论便是二极管内的总功能损耗增加较快。在较高的輸出电流下PT2也较高，促使PT1增加较快，所以在高电流下斜率比较陡峭。

同样，从中也可以见到输入输出电压比的功效。左侧展现的是5V輸出、低占空比直流/直流转换器。占空比较低表明T2较长，PT2就更多。所以，较多的初始热量造成Ir增加更快，PT1越高。最后结论便是由于輸出电流增加，二极管热度快速上升。在较高的电流下，可以见到实际上热度已超过了特定范围以外。右侧展现较高的18V输出电压造成越高的占空比，进而抑制了PT2。二极管内较少的发热量表明Ir增加较少，所以，PT1和整体热度也都增加较少。

可以得出，占空比越高（换句话说输出电压和输入电压越接近），二极管的热效应就越佳。比如，如果如前述测算，12V到2.5V的转换器要比12V到5V的转换器更能增加二极管的负担。

热逃逸

上述探讨的随热度上升而增加的效应会造成1个常见问题，称为热逃逸。上升的热度会造成热度进一步上升，直至器件毁坏。所以，强烈要求在所有设计中彻底检查此现象。

现在常见的作法是对功能损耗设计进行模拟运作。可以选用标准的模拟工具，也可选用网上较常用的模拟工具。认真检查热效应是极其重要的。对于打算选用的二极管，极有可能所选用的工具并没有采取正确的热模型，或是其热参数（很可能和布局相关）与设计不相匹配。很明显，并不是每一个二极管都完全一样，因此绝对不赞同在模拟设计时选用“相似”的二极管，然后假定它们的热效应（以及潜在的电效应）也相似。虽然并不是总是可行，但在此仍然建议始终制作原型并验证其正确效应。

上述便是CATELEC西班牙对肖特基二极管什么是热逃逸的介绍，CATELEC西班牙提供整流桥模块、晶闸管模块、二极管模块等半导体模块,绝缘式功率模块、功率组件、分立式功率半导体在内的众多功率电子产品是现CATELEC的主营项目。