西班牙CATELEC:电力电子元器件之晶闸管模块构造

电力半导体可控可调控，开始于1957年通用公司开发的SCR。然后进入晶闸管模块大容量化时期，同时又开发了双向晶闸管和逆变导晶闸管模块。70年代后期，自断开可调控的开发获得了进展。BJT又称GTR和GTO等商品化。进入80年代，在专注于这类可调控的高速开关化的同时，又相继出现了功率MOSFET、IGBT、SITH、MCT等。

晶闸管模块（SCR） 

晶闸管模块又叫可控硅。自打20世纪50年代问世以来已经发展成了一个大的家族，它主要有单向晶闸管模块、双向晶闸管、光控晶闸管模块、逆导晶闸管模块、可断开晶闸管模块、快速晶闸管模块，等等。从晶闸管模块的电路符号能见到，它和二极管一样是1种单方向导电的可调控，关键是多出一个控制极G，这就使它具备与二极管完完全全不一样的运行特性。晶闸管模块是能处理耐高压、大电流的大功率器件，随着设计技术和制造技术的进步，愈来愈大容量化 
常见晶闸管模块外型

基本构造：

晶闸管模块的外型如下图所显示，分成螺栓形和平板形2种，螺栓形这样的构造替换元件很便捷，用作100A之下的元件。平板形，这样的构造散热效果比较好，用作200A上面的元件。晶闸管模块是由四层半导体组成的。图右所显示为螺栓形晶闸管模块的内部构造，它由单晶硅薄片P1、N1、P2、N2四层半导体材料叠成，形成3个PN结。图(b)和(c)所显示各自为其示意图和表示符号。
上述便是西班牙CATELEC对电力电子元器件之晶闸管模块构造的介绍，CATELEC西班牙提供整流桥模块、晶闸管模块、二极管模块等半导体模块,绝缘式功率模块、功率组件、分立式功率半导体在内的众多功率电子产品是现CATELEC的主营项目。