西班牙CATELEC:晶闸管模块的正方向特性伏安特性

正方向特性

当门极G开路,阳极A添加正方向电压时(见图4),J1、J3结正偏,但J2结反偏,这与普通PN结的反方向特性类似,也仅能经过非常小电流,这叫正方向阻断模式,当电压增多,如下图2的特性曲线OA段逐渐弯曲,弯曲处的电压UBO称之为“正方向转折电压”。

因为电压上升到J2结的雪崩击穿电压后,J2结出現雪崩倍增效应,在结区产生大批量的电子和空穴,电子进到N1区,空穴进到P2区。进到N1区的电子与由P1区经过J1结引入N1区的空穴复合。同样,进到P2区的空穴与由N2区经过J3结引入P2区的电子复合，雪崩击穿后，进到N1区的电子与进到P2区的空穴各自无法全部复合掉。如此，在N1区就会有电子积累，在P2区就会有空穴积累，最后使P2区的电位上升，N1区的电位降低，J2结变为正偏，只需要电流稍有增多,电压便快速降低，出現常说的负阻特性，见图2中的虚线AB段。此时J1、J2、J33个结均处在正偏，晶闸管模块便进到正方向导电模式——通态,此时，它的特性与普通的PN结正方向特性类似，如下图2的BC段。

触发导通

在门极G上添加正方向电压时(如下图5所显示),因J3正偏,P2区的空穴进到N2区,N2区的电子进到P2区,产生触发电流IGT。在晶闸管模块的内部正反馈作用(如下图2)的基础上,添加IGT的功能,使晶闸管模块提前导通,造成图2中的伏安特性OA段向左,IGT越大,特性向左越快。
图5阳极和门极均加正方向电压

上述便是西班牙CATELEC对晶闸管模块的正方向特性伏安特性的介绍，CATELEC西班牙提供整流桥模块、晶闸管模块、二极管模块等半导体模块,绝缘式功率模块、功率组件、分立式功率半导体在内的众多功率电子产品是现CATELEC的主营项目。