电力半导体可控元器件，起源于1957年通用公司开发设计的SCR。之后进到大容量化时期，并且又开发设计了双向和逆变导晶闸管模块。70年代后期，自关断元器件的开发设计获得了进展。BJT又被称为GTR和GTO等商品化。进到80年代，在致力于这些元器件的高速开关化的并且，又陆续出现了功率MOSFET、igbt模块、SITH、MCT等。

晶闸管模块又叫可控硅。自20世纪50年代面世至今早已发展壮大为一大的家族，它主要是有单向晶闸管模块、双向晶闸管模块、光控晶闸管模块、逆导晶闸管模块、可关断晶闸管模块、快速晶闸管模块，等。从晶闸管模块的线路符号能够看出，它和二极管模块一般是1种单方向导电的元器件，关键是多了一个控制极G，这就使它具备与二极管模块完全不一样的工作特性。晶闸管模块是能够解决耐高压、大电流的大功率器件，随着设计技术和制造工艺的提高，愈来愈大容量化。

普遍晶闸管模块外观设计

基本构造：

晶闸管模块的外观设计如下图所显示，可分为螺栓形和平板形2种，螺栓形这类构造拆换元件很便捷，用作100A以下的元件。平板形，这类构造散热效果比较好，用作200A之上的元件。晶闸管模块是由四层半导体组成的。图右所显示为螺栓形晶闸管模块的内部构造，它由单晶硅薄片P1、N1、P2、N2四层半导体材料叠成，生成3个PN结。图(b)和(c)所显示各自为其示意图和表示符号。

上述便是西班牙CATELEC对电力电子元器件之晶闸管模块构造的介绍，CATELEC西班牙提供整流桥模块、晶闸管模块、二极管模块等半导体模块,绝缘式功率模块、功率组件、分立式功率半导体在内的众多功率电子产品是现CATELEC的主营项目。

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西班牙CATELEC:晶闸管模块两边并接阻容网络的功能

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