肖特基二极管模块

它是具备肖特基性能的“金属半导体结”的二极管模块。其正方向初始电压较低。其金属层除钨材质外，还能够选用金、钼、镍、钛等材质。其半导体材料选用硅或砷化镓，多为型半导体。这类元器件是由多数载流子导电的，因此，其反方向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。因为肖特基二极管模块中少数载流子的存贮效应甚微，因此其频率响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想元器件。其工作频率到达100GHz。且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管模块能够用作制做太阳能电池或发光二极管。

肖特基二极管模块借助金属与半导体接触所生成的势垒对电流进行控制。它的主要特点是具备较低的正方向压降（0.3V至0.6V）；另外它是多子参与导电，这就比少子元器件有更快的反应速度。肖特基二极管模块经常使用在门线路中当作三极管集电极的箝位二极管模块，以避免三极管因进到饱和状态而减低开关速率。

【构造原理】

肖特基整流管仅用1种载流子（电子）传输电荷，在势垒外边无剩余少数载流子的累积，因此，不会有电荷存储问题（Qrr→0），使开关性能获取时显改进。其反向恢复时间已能缩减到10ns之内。但它的反方向耐压值较低，一般不超过去时100V。因此适用在低电压、大电流状况下运行。借助其低电压降这特性，能提升低电压、大电流整流（或续流）线路的效率。

肖特基势垒二极管模块SBD（SchottkyBarrierDiode，简称为肖特基二极管模块）是近些年间世的低功耗、大电流、超高速半导体元器件。其反向恢复时间非常短（能够小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可到达几千安培。这类优良性能是快恢复二极管模块所无法比拟的。中、小功率肖特基整流二极管大多数选用封装形式。

综上，肖特基整流管的构造原理与PN结整流管有挺大的差别一般将PN结整流管称之为结整流管，而把金属-半导管整流管叫做肖特基整流管，近些年，选用硅平面工艺制造的铝硅肖特基二极管模块也已问世，这不但可节约贵金属，大幅度减少成本，还改进了参数的一致性。

上述便是CATELEC西班牙对肖特基二极管模块的介绍，CATELEC西班牙提供整流桥模块、晶闸管模块、二极管模块等半导体模块,绝缘式功率模块、功率组件、分立式功率半导体在内的众多功率电子产品是现CATELEC的主营项目。