专用放大器对可控硅线路示意图及原理分析

本文所探讨的选用设计是测定150V工业电机控制器的电流。如下图1所显示，为可以精准地测定极小的电流值，我们选用了1个分流器搭配1个高精度5V运放。
图1：典型选用

难到150V輸入电压不会烧毁运放吗？倘若V1电压是用作给第一级运放OP_A供应正电压（Vcc_H），就不会出现这些状况。

倘若连接1个击穿电压为4.7V的齐纳二极管，则会为第一级运放OP_A形成负电压（Vcc_L）。如此，OP_A的电源电压是4.7V，是Vcc_L=145.3V与Vcc_H=150V的差值。

电阻Rz为齐纳二极管供应偏置电流（~5mA），并为运放的偏置电流供应电路（~40μA）。

Vsense是电流通过电阻Rsense时发生的电压，被电阻R1、R2、R3和R4扩大。

P-MOSFET（BSP2220）輸出高精度电流，与流过Rsense的电流成正比；该电流通过R4电阻时形成对地电压Vo，与上桥臂电流成正比。第一级的输出电压可由下边的表达式1算出：

Vo=（Vsense/R1）。（R4/R3）。（R1+R2+R3）。..。..。..。..。..。..。..（1）

第二级运放OP_B用作抑止Vo电压。在增装电阻R5后，当启动阶段有大电流通过輸入引脚时，能够 防护OP_B的内部ESD二极管。

电机控制线路损耗的最大的电流是100A。因此，选用1个100μΩ分流器时，Vsense最高值为10mV。最大的输出电压在于Vsense电压和R4上的最终輸出电流。这是因为由微控制器的ADC来处置，因此最大的输出电压Vo务必高过3.3V。

为保证系统照常运行，务必认真挑选这些元器件主要参数。想要使OP_A輸出不饱和，在挑选主要参数时务必保证|Vgs|电压值极小。

这是因为Ids维持低电流有利于实现这一目标，因此我们挑选1个高电阻的R4。

为避免运放輸出饱和，第一级运放OP_A的增益由R2/R1比决定，不应该过高。

在选用元器件技术参数时，我们必须要折中加入，务必遵循方程式2：

|Vgsmax?|《Vzener-（R3.（R1+R2））/（R4.（R1+R2+R3））.Vo_max。..。..。..。..。..。..。..（2）

当中，Vgmax是使电流Id_max=（Vo_max）/R4进到晶体管需要的Vgs电压，且Vzener=Vcc_H-Vcc_L

現在我们看看这一系统的准确度问题。造成 放大器准确度差的首要因素是电阻不匹配和失调电压。

上述便是西班牙CATELEC对专用放大器对可控硅线路示意图及原理分析的介绍，CATELEC西班牙提供整流桥模块、晶闸管模块、二极管模块等半导体模块,绝缘式功率模块、功率组件、分立式功率半导体在内的众多功率电子产品是现CATELEC的主营项目。