雪崩二极管模块

PN结有单向导电性，正方向电阻值小，反方向电阻值较大。

当反方向电压提升到一定量值时，反方向电流忽然提升。便是反方向电击穿。它分雪崩击穿和齐纳击穿。

雪崩击穿是PN结反方向电压提升到一量值时，载流子倍增就如同雪崩似的，提升得多而快。

运用这一特点制成的二极管便是雪崩二极管 

雪崩击穿是在电场的作用下，载流子能量提升，持续与晶体原子相碰，使共价键中的电子激发生成自由电子-空穴对。新形成的载流子又借助碰撞形成自由电子-空穴对，这就是倍增效应。1生2，2生4，像雪崩似的提升载流子。

齐纳击穿基本不一样，在高的反方向电压下，PN结中存有强电场，它可以直接破坏！共价键将束缚电子分离来生成电子-空穴对，生成大的反方向电流。齐纳击穿所需的电场强度很大！唯有在杂质浓度非常大！！的PN结才可以做到。（杂质大电荷密度就大） 

通常的二极管掺杂浓度没这样高，它们的电击穿全是雪崩击穿。齐纳击穿大部分产生在特殊的二极管中，便是稳压二极管

它是在外部添加电压的作用下可以形成高频振荡的晶体管。形成高频振荡的原理是栾的：运用雪崩击穿对晶体注入载流子，因载流子渡越晶片要一定的时长，所以其电流落后于电压，产生延迟时间，若恰当地控制渡越时长，那，在电流和电压关联上便会产生负阻效应，进而形成高频振荡。它常被用于微波领域的振荡线路中。

运用半导体构造中载流子的碰撞电离和渡越时长2种物理效应而形成负阻的固体微波元器件。

雪崩二极管振荡原理是W.T.里德于1958年提出的。1965年，R.L.约翰斯顿等人在硅PN结二极管中实现了这类雪崩微波振荡。

上述便是CATELEC西班牙对雪崩二极管模块的介绍，CATELEC西班牙提供整流桥模块、晶闸管模块、二极管模块等半导体模块,绝缘式功率模块、功率组件、分立式功率半导体在内的众多功率电子产品是现CATELEC的主营项目。