西班牙CATELEC:集成门极换流晶闸管模块(IGCT)与GTO的对比

晶闸管与GTO类似，也是四层三端元器件，GCT内部由成千个GCT构成，阳极和门极公用，而阴极并接在一块。与GTO有重要差别的是IGCT阳极内侧多了缓冲层，以透明（可穿透）阳极代替GTO的短路阳极。导通机理与GTO完全一样，但断开机理与GTO完全不同，在晶闸管的断开环节中，GCT能瞬间从导通转到阻断状态，变成一种pnp晶体管之后再断开。

因此它无外加du/dt限制；而GTO必须经过一种既非导通又非断开的中间不稳定状态实现转换（即"GTO区"），因此GTO要很大的吸收线路来抑制重加电压的变化率du/dt。

阻断状态下晶闸管的等效线路可看作是一个基极开路、低增益pnp晶体管与栅极电源的串连。

晶闸管触发功率小，可以把触发及模式监视线路和IGCT管芯制成1个整体，借助2根光纤輸入触发信号、輸出运行状态信号。

晶闸管将GTO工艺与现代功率晶体管igbt模块的优势集于一身，借助大功率关断元器件可简易稳定地串连这一核心技术，导致IGCT在中高压领域和功率在0.5MVA～100MVA的大功率使用场所暂无真正的对手。

下表是igbt模块,GTO和IGCT3种电力元器件的性能对比:

晶闸管耗损低、开关速率等这类优势确保了它能稳定、高效率地用作300kVA～10MVA变流器，而无需串连或并接。在串连时，逆变器功率可拓展到100MVA。

尽管高功率的IGBT模块具备许多优良的特性，如能完成di/dt和dv/dt的有源控制、有源箝位、便于完成短路电流保护和有源保护等。

但因存有着导通高耗损、毁坏后导致开路和无长期稳定运作数据等缺陷，受限了高功率IGBT模块在高功率低频变流器中的真实应用。所以晶闸管将变成高功率高电压变频器的首选功率器件。

上述便是西班牙CATELEC对集成门极换流晶闸管模块(IGCT)与GTO的对比的介绍，CATELEC西班牙提供整流桥模块、晶闸管模块、二极管模块等半导体模块,绝缘式功率模块、功率组件、分立式功率半导体在内的众多功率电子产品是现CATELEC的主营项目。