所有非同步直流/直流转换器都要1个所说的续流二极管。为了更好地改进方案的整体效率,一般趋向于选用低正方向电压的肖特基管。许多设计都选用1个转换器设计(网络)工具建议的二极管模块。这并非总是二极管模块的最优选用。何况,倘若设计工具不考量热性能和漏电流间的动态变化,则极有可能出现实际性能不同于设计工具的解析或模拟出的结论。文中将讨论些在选用恰当的二极管模块时应仔细考量的典型参数,及其怎么运用这类参数来快速确认选型的正确与否。
检测耗损
图1提供了非同步直流/直流降压转换器的主要框架图。D1是所需的肖特基管。左侧是开关S1闭合时(时间为T1)的电流情况,右侧是开关S1打开时(时间为T2)的电流情况。图1:非同步直流/直流降压转换器主要框架图。
当时间为T2时,輸出电流(Iout)经过D1。所造成的耗损与D1的正方向电压(Vfw)和輸出电流直接有关。PT2等同于Iout*Vfw。显然,我们想要尽量减少以控制耗损,减少发热。
T1期间,D1处在阻断模式。仅有的电流是反方向电流。此电流相应偏弱,而且主要由阻断电压或輸入电压Vin确定。T1阶段二极管模块造成的功能损耗,称之为PT1,大概等同于Ir*Vin。
对于所有肖特基二极管,在设计时都存在1个取舍。即此设施要不就是应对低Vf进行优化,要不就是应对低Ir进行优化。因此,倘若选用低Vf,则Ir就较高,反之亦然。在实际运用设计时,重要的是不但要观测Vf或Ir的值,还需要解析它们在实际操作中会造成什么结论。Vf和Ir都是会随温度变化而改变。当温度升高,Vf会减少,在二极管模块升温的同时减少了热扩散。但非常不幸的是,Ir会随着二极管模块温度升高而增加。因此,二极管模块温度越高,漏电流就越多,内部功能损耗就越多,如此就促使二极管模块温度更高,进而再一次增加漏电流,如此循环。
上述便是CATELEC西班牙对肖特基二极管在电源管理中的运用解析的介绍,CATELEC西班牙提供整流桥模块、晶闸管模块、二极管模块等半导体模块,绝缘式功率模块、功率组件、分立式功率半导体在内的众多功率电子产品是现CATELEC的主营项目。