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在图2中可以看到，在以上所述2种情形中，在第2次温度传递Tb时，低Vf的二极管逐渐变热。当中的机理是，在电流对应的情形下，二极管因在T2时出现耗损而变热。随之二极管温度上升，漏电流If增加，正方向电压Vf减小。但是，增加的速度远高于减小的速度。其结论便是二极管内的总功能损耗增加较快。在较高的輸出电流下PT2也较高，促使PT1增加较快，所以在高电流下斜率比较陡峭。同样，从中也可以见到输入输出电压比的功效。左侧展现的是5V輸出、低占空比直流/直流转换器。占空比较低表明T2较长，PT2就更多。所以，较多的初始热量造成Ir增加更快，PT1越高。最后结论便是由于輸出电流增加，二极管热度快速上升。在较高的电流下，可以见到实...
倘若坚持选用主要的非同步直流/直流转换器的设计案例，何不做一个主要解析以确认二极管模块内部功能损耗和因此造成的设施温度。直流/直流转换器的运作占空比与电压输入输出的比值直接有关（DC=Vout/Vin）。电压輸入和輸出的比值越低，T2的时间就越长，PT2对整个二极管模块的功能损耗影响也就越大。反之亦然，T1越长（或和的比值越高），PT2对总功能损耗的影响就越小，PT1的作用就越大。以2个直流/直流转换器为例，2个全是24V輸入电压，但当中一个是18V输出电压而另一个是5V。选用Vin和Vout的比值测算取得占空比，并且选用数据表格中的Vf和Ir值测算出二极管内总功率的耗损。之后按照总功耗计算出因此造成的二极管温度，并...
晶闸管与GTO类似，也是四层三端元器件，GCT内部由成千个GCT构成，阳极和门极公用，而阴极并接在一块。与GTO有重要差别的是IGCT阳极内侧多了缓冲层，以透明（可穿透）阳极代替GTO的短路阳极。导通机理与GTO完全一样，但断开机理与GTO完全不同，在晶闸管的断开环节中，GCT能瞬间从导通转到阻断状态，变成一种pnp晶体管之后再断开。因此它无外加du/dt限制；而GTO必须经过一种既非导通又非断开的中间不稳定状态实现转换（即"GTO区"），因此GTO要很大的吸收线路来抑制重加电压的变化率du/dt。阻断状态下晶闸管的等效线路可看作是一个基极开路、低增益pnp晶体管与栅极电源的串连。晶闸管触发...
集成栅极换流晶闸管模块IGCT是1996年面世的用作巨型电力电子成套设备中的新型电力半导体元器件。IGCT是1种基于GTO构造、借助集成栅极构造实现栅极硬驱动、选用缓冲层构造及阳极透明发射极工艺的新型大功率半导体开关元器件，具备晶闸管模块的通态特性及晶体管的开关特性。因为选用了缓冲构造和浅层发射极工艺，因此使动态耗损减少了约50％。此外，这类元器件还有一种芯片上集成了具备优异动态特性的续流二极管，进而以其特有的形式完成了晶闸管模块的低通态压降、高阻断电压和晶体管稳定的开关特性有机结合. 晶闸管使变流设备在功率、可靠性、开关速度、效率、投入、重量和体积等层面都获得了很大进度，给电力电子成套设备提供了新...
1.桥式整流线路变压器副边不要中心抽头，但多使用2只整流二极管;2.全波整流线路少用2只整流二极管，但变压器副边要中心抽头;3.全波整流线路常用整流二极管反方向耐压标准是桥式整流的2倍；4.整流和全波整流对变压器次级数目标准不同，前者只需1组线圈，后者要2组；5.整流和全波整流对变压器次级电流标准不同，前者是后者2倍；6.整流和全波整流要二极管元件数目不同；7.某时刻，桥式整流流经2个二极管元件，全波整流只流经1个。上述便是西班牙CATELEC介绍的全波整流线路和桥式整流线路的差别，西班牙CATELEC提供整流桥模块、晶闸管模块、二极管模块等半导体模块,...
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