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1、双环控制系统的切换在设计线路中，带有限流作用的恒压源及带有限压作用的恒流源想必大家并不陌生，许多网友在设计线路的时候，有时会选用下图所显示线路，1个稳压环1个稳流环，逐步添加负载，稳流环输出低电平进到限流，当负载减少撤出限流的时候，稳压环必须有1个切换时间段，因此就发生了两环路都不运行的1个空白区，在这一时间段内，线路等同于开环，对线路而言，终究不是好事。但倘若使用第二线路，就不会有类似的问题，限流的时候，稳流环拉低稳压环的基准，在这个环节中，2个环路都在运行，即使在限流环节中，忽然断开负载，这是因为稳压环一直在运行，因此在很短时间内电路便会进到稳定。而不会发生上述线路的空白区。 2、MOS...
雪崩二极管能以各种模式形成振荡，当中主要有碰撞雪崩渡越时长(IMPATT)模式，简称为崩越模式。其基本原理是：运用半导体PN结中载流子的碰撞电离和渡越时长效应形成微波频率下的负阻，进而形成振荡。另一种重要的工作模式是俘获等离子体雪崩触发渡越时长(TRAPATT)模式,简称为俘越模式。这类模式的运行过程是在线路中形成电压过激以触发器件，使二极管势垒区充满电子-空穴等离子体，导致元器件内部电场忽然下降,而等离子体在低场下逐步漂移出势垒区。所以这类模式工作频率较低，但输出功率和效率则大得多。除以上2种主要工作模式之外，雪崩二极管还能以谐波模式、参量模式、静态模式和热模式运行。雪崩二极管的构...
PN结有单向导电性，正方向电阻值小，反方向电阻值较大。当反方向电压提升到一定量值时，反方向电流忽然提升。便是反方向电击穿。它分雪崩击穿和齐纳击穿。雪崩击穿是PN结反方向电压提升到一量值时，载流子倍增就如同雪崩似的，提升得多而快。运用这一特点制成的二极管便是雪崩二极管 雪崩击穿是在电场的作用下，载流子能量提升，持续与晶体原子相碰，使共价键中的电子激发生成自由电子-空穴对。新形成的载流子又借助碰撞形成自由电子-空穴对，这就是倍增效应。1生2，2生4，像雪崩似的提升载流子。齐纳击穿基本不一样，在高的反方向电压下，PN结中存有强电场，它可以直接破坏！共价键将束缚电子分离来生成电子-空穴对...
在一些大型的半导体元器件中，有一种元件称之为晶闸管晶闸管模块是晶体闸流管的简称，又被称为作可控硅整流管，过去被简称为可控，用符号SCR表达。晶闸管模块是具备3个PN结的半导体元器件，有阳极A、阴极K和控制极G3个电极。图1为晶闸管模块的外观、构造和电气图形符号。它既具备二极管的正向导通和反方向阻断的特性，同时与二极管不一样的是，仅有当晶闸管模块被触发后，即在其控制极上添加一定的正方向电压后，它才容许电流流过。如若晶闸管模块导通后，其控制极就失去了控制作用。晶闸管模块的作用是稳压稳流。变频电源晶闸管模块是1种大功率半导体元器件，不仅有单向导电的整流作用，又有可以控制的开关作用，可以用微小的功率控制...
在一些大型的半导体元器件中，有一种元件称之为晶闸管。晶闸管模块是晶体闸流管的简称，又被称为作可控硅整流管，过去被简称为可控，用符号SCR表达。晶闸管模块是具备3个PN结的半导体元器件，有阳极A、阴极K和控制极G3个电极。图1为晶闸管模块的外观、构造和电气图形符号。它既具备二极管的正向导通和反方向阻断的特性，同时与二极管不一样的是，仅有当晶闸管模块被触发后，即在其控制极上添加一定的正方向电压后，它才容许电流流过。如若晶闸管模块导通后，其控制极就失去了控制效用。晶闸管模块是1种可控的整流器件。可以实现用小电压小电流来控制大电压电流，关键起着开关效用，与二极管对比，不同点是正向导通首控制极电...
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